靶:
Nirta® 固体靶 30 MeV
将GaNi镀在固体靶上,然后用大束流辐照,产生69Ga(p,2n)68Ge反应。
化学:
Pinctada® Ge
从经过辐照的靶上溶解GaNi层并进行纯化,以获得68Ge氯化物,作为制造68Ge/68Ga发生器的起始材料。
Ge-68用于68Ge/68Ga发生器,以产生正电子发射放射性核素68Ga。由于Ge-68的半衰期长达270天,因此可以很容易地作为发生器送往医院,作为用于进一步标记的68Ga的来源。
Nirta® 固体靶 30 MeV
将GaNi镀在固体靶上,然后用大束流辐照,产生69Ga(p,2n)68Ge反应。
Pinctada® Ge
从经过辐照的靶上溶解GaNi层并进行纯化,以获得68Ge氯化物,作为制造68Ge/68Ga发生器的起始材料。
Nirta® 固体靶 30 MeV
将GaNi镀在固体靶上,然后用大束流辐照,产生69Ga(p,2n)68Ge反应。
Pinctada® Ge
从经过辐照的靶上溶解GaNi层并进行纯化,以获得68Ge氯化物,作为制造68Ge/68Ga发生器的起始材料。
Nirta® 固体靶 30 MeV
将GaNi镀在固体靶上,然后用大束流辐照,产生69Ga(p,2n)68Ge反应。
Pinctada® Ge
从经过辐照的靶上溶解GaNi层并进行纯化,以获得68Ge氯化物,作为制造68Ge/68Ga发生器的起始材料。